IKZA40N65EH7XKSA1
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 210 W 通孔 PG-TO247-4-3
物料参数
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 80 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 160 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 1.65V @ 15V，40A |
| 功率 - 最大值: | 210 W |
| 开关能量: | 370µJ（导通），360µJ（关断） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 81 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 13ns/134ns |
| 测试条件: | 400V，40A，12.5 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 49.6 ns |
| 工作温度: | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 等级: | - |
| 资质: | - |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-247-4 |
| 供应商器件封装: | PG-TO247-4-3 |